MemSilicon发布国际首款高密度、大容量1T4R 1Gb RRAM芯片

MemSilicon宣布完成基于1TnR技术路线的首代高密度、大容量RRAM芯片“泰山一号”流片，该芯片采用28nm CMOS工艺平台和1T4R单元结构，单芯片容量1Gb，密度达到30Mb/mm²，访问延时小于20ns。