美光技术网络研讨会：3D DRAM 路线与 4F² DRAM 扩展瓶颈

美光在2026年度技术网络研讨会上表示，4F² DRAM 缺乏规模化路径，选择3D DRAM作为未来发展方向。美光第7代10nm级DRAM节点1δ良率爬坡，第8代节点1ε引入晶圆键合技术，第1代亚10nm级节点ζÅ导入High NA EUV光刻，预计将提升约25%的存储密度。