三星电子、SK 海力士升级中国工厂，生产更先进闪存芯片

三星电子和SK海力士正升级中国工厂，以生产200层以上的NAND闪存芯片。三星计划在西安工厂生产286层V9芯片，目标12月产量5000片，2027年12月提升至4万片；SK海力士大连工厂将升级至240层以上产线。