36氪·2026-10-19 07:53· 15 天前AI 评分45

三星将采用台积电3纳米工艺为英伟达生产下一代HBM基底裸片

三星据悉将采用台积电3纳米工艺为英伟达生产下一代HBM基底裸片

AI 导读

三星计划采用台积电3纳米工艺生产英伟达下一代HBM基底裸片，以实现性能一致性；此举为三星首次与台积电在HBM制造阶段的合作。

来源：36氪 · 36kr.com

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