三星采用台积电3nm工艺为英伟达生产下一代HBM基底裸片

三星将采用台积电3nm工艺为英伟达生产下一代定制高带宽内存（HBM）的核心组件——基底裸片。英伟达要求使用台积电3nm工艺制造基底裸片，并采用代号1c的第六代DRAM工艺，以实现性能的稳定一致。三星仍会保留一站式全包生产策略，并保留在自家晶圆厂研发、生产NVHBM的可能性。