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三星电子会长李在镕考察日本先进封装技术

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AI 综述

三星电子会长李在镕于2026年11月1日访问日本横滨先进封装研究中心,考察下一代半导体封装技术。他宣布计划自2024年起未来5年投资400亿日元,旨在将横滨APL建设成为全球先进封装研发中心,并计划到2027年将当地研发人员扩大至100人以上。

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报道时间线

沿着报道,了解事件的不同侧面。

11月1日
  1. IT之家
    三星电子会长李在镕考察日本先进封装技术,计划五年投资400亿日元

    三星电子会长李在镕访问日本横滨先进封装研究中心,考察下一代半导体封装技术,计划自2024年起未来5年投资400亿日元,将横滨APL打造为全球先进封装研发中心,并计划到2027年将当地研发人员扩大至100人以上。

本事件热度走势

当前热度 4·可比范围峰值 10(11月1日 18:00)·近 24 小时可比范围变化 -50%

02.557.51011月1日18:0011月2日05:0011月2日15:0011月3日02:00

趋势仅比较持续完整观测到的相同主体,范围可能小于当前热度统计。移动指针或点击图表查看每小时热度;键盘可用左右方向键切换。